http://www.3dnews.ru/news/613528/
IBM сообщила о своих новых разработках в области относительно нового формата памяти, известного как память с изменением фазового состояния (PCM). Существенное улучшение, которое было достигнуто исследователями позволяет создавать быструю и надёжную энергонезависимую память для различного спектра применения: от мобильных телефонов до промышленных центров хранения данных. В следующие 5 лет PCM, по заявлению инженеров, может осуществить принципиальный сдвиг в технологиях хранения данных.
Компания обещает, что усовершенствованная память PCM сможет предоставить в 100 раз более высокую скорость записи и чтения в сравнении с широко применяемой сегодня флеш. Это позволит создавать компьютеры и серверы, загружающиеся мгновенно и функционирующие гораздо быстрее. В отличие от флеш, PCM также является гораздо более надёжным средством хранения данных, обеспечивая не менее 10 млн циклов записи на одну ячейку. Для сравнения, флеш-память гарантирует сегодня 30 тысяч циклов перезаписи.
Учёным IBM удалось не только преодолеть непостоянство фазового состояния сплава (созданный 90-нм образец чипа, включающий 200 тысяч ячеек, смог сохранять данные без электрического тока в течение 5 месяцев), но и записать на каждую ячейку по 4 бита данных. Кроме того, путём итеративного подбора импульса напряжения удалось достигнуть скорости записи в 10 микросекунд, что в 100 раз превосходит показатели флеш-памяти.


чем тише комп тем лучше :cool: