Как и ожидалось, корпорация Intel официально объявила о важном прорыве, способном изменить лицо современной микроэлектроники.
Речь идет об использовании в будущих поколениях фирменных процессоров так называемых транзисторов с трехмерной структурой затвора, изготовленных по инновационной технологии 3-D Tri-Gate. Данная технология, как заявлено, позволяет микросхемам функционировать на более низких значениях напряжения и с меньшими утечками тока, выводя их, таким образом, на новый уровень энергоэффективности.
Согласно Intel, ее новейшие 3-D Tri-Gate транзисторы, изготовленные по 22 нм производственным нормам, способны обеспечить прирост производительности на 37 процентов по сравнению со своими 32 нм аналогами, созданными по традиционной планарной технологической схеме.
Кроме того, наполовину снижается их энергопотребление, а одной из главных особенностей 3D транзисторов, вытекающей из трехмерной структуры затвора, является лучший контроль параметров электротока и более быстрое переключение между рабочими состояниями.
Настоятельно просим вас при общении соблюдать Правила форума и законы РФ. Наша тематика вне политики, поэтому воздержитесь от обсуждения ситуации на Украине и связанных с ней событий, независимо от того, какую сторону вы поддерживаете.
Также напоминаем, что наш форум находится в доменной зоне .ru, физически расположен на российских серверах и мы соблюдаем действующее законодательство России. Любые сообщения о политике будут удаляться.
